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    陈星弼
    学校:同济大学  学院(专业):同济大学  职位:半导体器件及微电子学专家   0         1

    陈星弼,原籍浙江浦江,生于上海。1952年毕业于同济大学电机系。电子科技大学教授。 

    五十年代末,对漂移晶体管的存贮时间问题在国际上最早作了系统的理论分析。提出新的电荷法基本方程、不均匀介质中镜象电荷方程等。八十年代以来,从事半导体电力电子器件的理论与结构创新方面的研究。从理论上解决了提高p- n结耐压的平面及非平面工艺的终端技术问题,作出了一些迄今唯一的理论分析解。在解决MOS功率管中降低导通电阻与提高耐压之间的矛盾问题上作出了系列重要贡献。发明了耐压层的三种新结构,提高了功率器件的综合性能优值,其中横向耐压层新结构在制备工艺上与常规CMOS和BiCMOS工艺兼容,有利于发展耐高压的功率集成电路。1999年当选为中国科学院院士。

    人物履历
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    代表作品

    晶体管原理与设计
      

    作者:陈星弼,张庆中编 ISBN:712102268   出版社:电子工业出版社 出版日期:2006

    晶体管原理与设计(第2版)
      

    作者:陈星弼,张庆中著 ISBN:712102268  晶体管原理与设计(第2版)

    出版社:电子工业出版社 出版日期:2006年2月

    固体物理导论
      

    作者:陈星弼编出版社:国防工业出版社 出版日期:1979

    晶体管原理
      

    陈星弼编 北京:国防工业出版社 出版日期:1981

    晶体管原理与设计
      

    陈星弼编 成都:成都电讯工程学院出版社 出版日期:1987

    功率MOSFET与高压集成电路
      

    陈星弼著 南京:东南大学出版社 出版日期:1990

    主要成就
    陈星弼教授在新型功率(电力电子)器件及其集成电路这一极其重要领域中,做出 了一系列重要的贡献与成就。他率先在中国提出立项并作为第一主研完成了VDMOST、IGBT、Offset-GateMOST、LDMOST、SPIC及RESURF、SIPOS等器件及有关技术。他对垂直型功率器件耐压层及横向型功率器件的表面耐压区唯一地作出了优化设计理论且得到实际应用。对功率器件的另一关键技术——结终端技术——作出了系统的理论分析及最优化设计方法并应用在各种电力电子器件的设计中取得良好的效果。他还提出了斜坡场板这一新结构的理论。他的三项重要发明能使电力电子器件在一个新的台阶上发展。这些发明打破了传统极限理论的约束,使器件的电学性能得到根本性的改进。第一种第二种发明突破了高速功率MOS高压下导通电阻极限理论,得到新的极限关系。第一种发明被Siemens公司实现,98年在国际电子器件会议(旧金山)发表。第二种发明及第三种发明已在国内实验成功。根据第三种发明来制造高压(功率)集成电路中的横向器件,可以在工艺上和常规的CMOS及BiCMOS工艺兼容,使这种电路不仅性能优越,而且成本节省,可立足国内,并正在走向产品开发。他作为唯一(或第一)作者(或主研)已在IEEE等学术刊物发表论文40多篇,出版著作五种(六册),取得美国及中国发明专利权七项,获得国家发明奖及国家科技进步奖二项,省部级奖十三项。圆满完成八五国家自然科学基金重点项目、军事预研项目及国家八五科技攻关重大项目,并获得国家八五科技攻关先进个人,受到江泽民总书记等党和国家领导人接见。2002年8月获信产部信息产业重大技术发明奖(三项中排第一),2002年8月获(美国3D公司杰出创新技术认可奖)及评价,不但高度评价本项目技术创新的意义,而且高度评价对环保的意义。有四项部级鉴定的新功率器件与功率集成电路均被评为“结构属国际首创”“性能属国际领先”。

    个人荣耀
    陈星弼教授是中国电子学会会士、美国IEEE高级会员。多次出访国外进行科技学术交流。他热爱祖国、忠诚党的教育事与科学事业。学识渊搏、治学严谨、工作刻苦。有坚实的基础理论,能及时抓住新方向,很快深入,既能发现问题有能解决问题。1991年起享受国务院特殊津贴,1997年被评为电子部优秀教师,1998年被评为全国优秀教师。四川省学术与技术带头人。

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